Si apre una nuova era nell’elettronica. Una ricerca congiunta di Cina e USA ha creato il primo materiale in grafene con capacità di semiconduzione e con una mobilità elettrica 10 volte superiore a quella del silicio.

Un team di ricerca del Georgia Institute of Technology e dell’Università di Tianjin in Cina, guidato dal professore di fisica Walter de Heer, ha raggiunto un importante traguardo nel campo dell’elettronica: la creazione del primo semiconduttore funzionale realizzato in grafene. Questo risultato è stato ottenuto “coltivando” il grafene su un substrato di carburo di silicio per dare vita a un semiconduttore con una mobilità (degli elettroni) 10 volte superiore a quella del silicio.

Il grafene avrà una responsabilità enorme: cambiare l’elettronica

“Ci eravamo cullati pensando che il silicio fosse il punto massimo dell’elettronica [nel campo dei semiconduttori]. Ma non è così. Era solo l’inizio”, queste le parole usate da de Heer per presentare il grafene con capacità di semiconduttore.

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