I sistemi di memorizzazione sono componenti vitali dei dispositivi elettronici, ma persistono sfide significative per ottenere una memoria flessibile a causa dei limiti delle metodologie di memorizzazione esistenti.

Ispirandoci ai meccanismi di polarizzazione e depolarizzazione del cervello umano, proponiamo una nuova classe di principi di memorizzazione per ottenere una memoria completamente flessibile, introducendo i comportamenti di ossidazione e disossidazione dei metalli liquidi.

In particolare, l’ossidazione elettrochimica reversibile viene utilizzata per modulare la conduttività complessiva dei metalli liquidi target, creando una differenza di resistenza sostanziale di 11 ordini per la memorizzazione di dati binari. Per ottenere le migliori prestazioni di memorizzazione, sono state condotte ottimizzazioni sistematiche di diversi parametri.